ACMPgydF4y2Ba 凝聚态物理的进步gydF4y2Ba 1687 - 8124gydF4y2Ba 1687 - 8108gydF4y2Ba HindawigydF4y2Ba 10.1155 / 2020/3407141gydF4y2Ba 3407141gydF4y2Ba 研究文章gydF4y2Ba 从头开始研究高压半导体金属硫族化合物KPSe的相变gydF4y2Ba6gydF4y2Ba https://orcid.org/0000 - 0003 - 3891 - 9656gydF4y2Ba 乔莫gydF4y2Ba p . O。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba OtienogydF4y2Ba c . O。gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba NyaweregydF4y2Ba p . w . O。gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 费尔南多gydF4y2Ba GayanathgydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 物理系gydF4y2Ba 大学的基gydF4y2Ba 邮政信箱408gydF4y2Ba 的基gydF4y2Ba 肯尼亚gydF4y2Ba kisiiuniversity.ac.kegydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 物理和生物科学gydF4y2Ba Kabarak大学gydF4y2Ba 邮政信箱gydF4y2Ba 私人包20157gydF4y2Ba 纳库鲁gydF4y2Ba 肯尼亚gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 03gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba 2019年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 03gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba 03gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 2020年gydF4y2Ba 版权©2020 p·o·乔莫et al。gydF4y2Ba 这是一个开放的文章在知识共享归属许可下发布的,它允许无限制的使用,分布和繁殖在任何媒介,提供最初的工作是正确的引用。gydF4y2Ba

我们报告的结果pressure-induced半导体金属半导体KPSe硫族化物化合物的相变gydF4y2Ba6gydF4y2Ba在高压力下使用从头开始的方法。在密度泛函理论计算基态能量进行了使用伪势方法和广义梯度近似平面波基组。投影机augmented-wave(爪子)伪势是用于我们的计算。优化后的晶格参数被发现从总能量计算13波尔,1.6波尔,和1.8波尔细胞尺寸,两个,三个,分别是在良好的协议与实验计算。在零压力,材料被直接带隙的半导体性质≈1.7 eV。当我们受到材料的压力,观察带隙减少直到消失。半导体金属的相变被发现出现在∼45 GPa,暗示的材料进行金属化压力进一步增加。gydF4y2Ba

 1。介绍gydF4y2Ba

在最近的过去,研究压力对结构的影响阶段转换和从第一原理计算材料的特点吸引了太多的关注,因为他们有机会深入了解固态的本质理论(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba),并协助确定基本参数值为工业应用(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba]。例如,结构、电气和光学性质的集团III-V半导体化合物已经被广泛的研究(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

大多数元素进行结构相变压力诱导(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba]。当材料受到挤压的力量,它的电子能带结构的变化(gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 11gydF4y2Ba]这进一步导致其结构特性的变化(gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba]。这往往导致第一low-symmetry的形成复杂的结构,然后在更高的压力转变成high-symmetry拥挤不堪的结构(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba]。此外,成键电子的离域压力减少元素的化学性质之间的差异和他们的晶体结构gydF4y2Ba 15gydF4y2Ba]。结果,发现了许多新元素的同素异形体(gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

硫属化合物结构研究高压下多达52个绩点进行了实验,采用x射线衍射法(gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba]。例如,中科院、案例和凯特碱土硫属化合物进行结构相变的压力40 GPa, 38 GPa,分别为33 GPa (gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba]。在压力下结晶材料的研究在材料物理给了非常重要和有用的材料特性(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 12gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba]。对材料高压导致减少原子间距离进而影响晶体结构和电子轨道(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba]。同样,高压可能导致新材料具有不同特性的形成从最初的材料(gydF4y2Ba 24gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

硫族化物眼镜是基于硒、碲和添加其他元素,如砷、锑、锗,镓,钾(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba]。他们是众所周知的优势,比如透光率范围宽(1 - 12gydF4y2Ba μgydF4y2Ba米)(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba)、低不仅内在损失中(gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba),低声子能量(gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba),和缺乏自由载流子效应(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 28gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba]。KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba作为一个硫族化物吸引了太多的利益,因为它有前途的能力在薄膜等技术应用,光纤(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 25gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 27gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba]。KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba结晶在极地斜方晶系的空间群Pca2gydF4y2Ba1gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba]。这种化合物是直接带隙的半导体在零压力1.883 eV (gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 33gydF4y2Ba]。我们旨在调查KPSe的行为gydF4y2Ba6gydF4y2Ba在非常高的压力下。gydF4y2Ba

我们按照以下顺序安排摘要:我们解释计算的细节部分gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba,部分gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba讨论结果,和结论部分gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

 2。计算的细节gydF4y2Ba

这项研究是通过使用密度泛函理论(DFT) [gydF4y2Ba 34gydF4y2Ba]运用exchange-correlation功能,Perdew-Burke-Ernzerhof的广义梯度近似(gydF4y2Ba 34gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 36gydF4y2Ba)基于平面波自洽场理论(PWscf)和Ultrasoft伪势(USPP)方法。压力增加实施如下:从放松单元电池,我们修改了输入文件,我们改变了“计算”类型从“现金流量表”到“vc-relax”,然后引入了两个新的领域;第一部分叫做“离子”,而第二个被称为“细胞。“在第一段,离子动力学将潮湿的在第二段,我们进入目标压力(千巴),我们想要我们的细胞(gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba]。被用来计算获得的新的原子位置的电子结构性质KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba在这种压力。从头开始计算实现量子模拟咖啡包中(gydF4y2Ba 36gydF4y2Ba),从量子咖啡数据库和伪势。对于伪势,价电子是K 2 s, P 2 P, 2 P Se。价波函数扩展在平面波的基础上设置截断25 Ry的动能(340 eV)。在环境条件,KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba结晶在极地斜方晶系的空间群Pca2gydF4y2Ba1gydF4y2Ba(gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba]。有三个种类的原子结构为钾K,磷P,和硒。硫族化物复合KPSe的原始细胞单位gydF4y2Ba6gydF4y2Ba共有32个原子:4钾原子,4个磷原子,和24硒原子。图gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba显示了优化KPSe的晶体结构gydF4y2Ba6gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

优化KPSe的晶体结构gydF4y2Ba6gydF4y2Ba在零压力,认为使用水晶和分子结构可视化程序(XCrySDen)。获得的晶体结构是斜方晶系的,在与一般晶体结构良好的协议gydF4y2Ba 32gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

 3所示。结果与讨论gydF4y2Ba 3.1。结构优化gydF4y2Ba

在本节中,我们报告的图形表示优化晶格参数和动能为硫族化物化合物KPSe截止(ecut)gydF4y2Ba6gydF4y2Ba。以下图的图表gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba代表如何优化晶格参数。图代表的基态能量的最小值对应的准确的参数用于计算。gydF4y2Ba

(a)一个收敛曲线细胞尺寸为13.0∼波尔,(b)细胞尺寸的优化值两个1.6∼波尔,和(c)细胞三维优化值是1.8∼波尔。这些优化值被用于后续的计算。gydF4y2Ba

极化子计算优化的动能截止(ecut)进行,图是绘制如图gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba。动能截止优化值∼25。这是用于其余的计算值。gydF4y2Ba

一个代表性的收敛曲线总能量与动能截止。优化能源截止最小值是∼25 Ry如图所示。gydF4y2Ba

 3.2。电子结构性质gydF4y2Ba

能带结构的计算,局部态密度,复合KPSe的态密度gydF4y2Ba6gydF4y2Ba在这里报告。为了确定带结构属性,我们使用以下高对称点Γ(0,0,0),gydF4y2Ba XgydF4y2Ba(1/2,0,0),gydF4y2Ba YgydF4y2Ba1/2 (0,0),gydF4y2Ba ZgydF4y2Ba(0,0,1/2),gydF4y2Ba TgydF4y2Ba(0,1/2,1/2),gydF4y2Ba UgydF4y2Ba(1/2,0,1/2),gydF4y2Ba 年代gydF4y2Ba(1/2,1/2,0)gydF4y2Ba RgydF4y2Ba(1/2,1/2,1/2)gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 38gydF4y2Ba]。的直接带隙1.7∼eV得到零压力和T-symmetry周围形成的差距。这与实验结果是一致的值为1.883 eV (gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba),是在误差棒范围内gydF4y2Ba 37gydF4y2Ba]。低估是由于被占领的国家相比,在能量较低的空置状态(gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba]。乐队和曲线为这种化合物的态密度图gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

(一)电子能带结构和态密度。能带结构和态密度非常接近相似如上图所示。(b)曲线代表的偏态密度以及每个原子导致帷幔乐队或传导带。它可以指出,Se 2 (p)国家作出更大贡献的价带和硒钾相比,而p 2 (p)州传导带作出更大贡献。gydF4y2Ba

 3.3。Pressure-Induced相变gydF4y2Ba

它建立的能带隙材料取决于磁场,温度和压力(gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba]。我们检查压力如何影响能带。根据Gulyamov [gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba),是由带隙压力关系gydF4y2Ba (1)gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba PgydF4y2Ba =gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 0gydF4y2Ba −gydF4y2Ba βgydF4y2Ba PgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba βgydF4y2Ba代表了压力系数定义的转变在价带和导带的位置与压力的变化(gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 18gydF4y2Ba]。费米能级的压力依赖性是由(gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba]gydF4y2Ba (2)gydF4y2Ba EgydF4y2Ba FgydF4y2Ba PgydF4y2Ba ,gydF4y2Ba TgydF4y2Ba =gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba PgydF4y2Ba 2gydF4y2Ba +gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba KgydF4y2Ba TgydF4y2Ba lngydF4y2Ba 米gydF4y2Ba hgydF4y2Ba 米gydF4y2Ba egydF4y2Ba ,gydF4y2Ba 在哪里gydF4y2Ba EgydF4y2BaFgydF4y2Ba代表了费米能级,gydF4y2Ba TgydF4y2Ba绝对温度,gydF4y2Ba EgydF4y2Ba ggydF4y2Ba 给出了能隙,gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba egydF4y2Ba ∗gydF4y2Ba 是一个电子的质量,gydF4y2Ba 米gydF4y2Ba hgydF4y2Ba ∗gydF4y2Ba 孔的质量。图表显示了费米能级和压力之间的关系,如图gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

诱导压力依赖性的费米能级。有持续增加的费米能级与增加压力,提供了结构没有发生了畸变(gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 41gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

诱导压力,载流子的密度的增加从而提高了可用性的电子导电性负责(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 42gydF4y2Ba,gydF4y2Ba 43gydF4y2Ba]。我们引入了更大的压力,有一个重叠的价带和导带归因于扩大带宽的2 s和2 p原子轨道(gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba]。这是因为与邻近原子的强相互作用,创造更广泛的乐队比能源缺口,因此主张电子到导带(gydF4y2Ba 41gydF4y2Ba]。从半导体相变金属被发现出现在∼45 GPa。因此,这是一个迹象表明,压力会导致半导体金属过渡(gydF4y2Ba 42gydF4y2Ba]。能带结构和密度的变化状态在不同压力与费米能级是用图来描述gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

与压力有关的计算能带结构和态密度复合KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba(一)20 GPa, (b) 30 GPa, (c) 40 GPa, (d) 45 GPa。带隙是∼20 GPa 1.18 eV (a), 1.05∼eV 30 GPa (b), 0.50∼eV 40 GPa (c),在45 GPa (d)和0.00 eV。gydF4y2Ba

带隙的变化对压力的计算也绘制如图gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

计算带隙的情节和硫族化物化合物KPSe的压力gydF4y2Ba6gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

晶体结构是稳定的,而不是在高压扭曲;这表明,该材料能承受高压缩部队,因此可用于各种高压工业应用。的晶体结构在不同压力如图gydF4y2Ba 8gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

晶体结构对KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba在压力(a) 0 GPa, (b) 20 GPa, (c) 30 GPa, (d) 40 GPa, (e) 45 GPa,和50 GPa (f),分别查看使用晶体和分子结构可视化程序(XCrySDen)。晶体结构仍然不失真随着压力的增加。这意味着结构保持稳定,没有结构相变。gydF4y2Ba

键长和键角也研究了在不同压力间隔使用晶体和分子结构可视化程序(XCrySDen)。是观察到债券的长度减少更多的压力诱导而键角减少,然后从40增加GPa如表所示gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba和图gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

显示了一个结构分析KPSe6的键长和键角在不同压力间隔。gydF4y2Ba

KPSe6结构分析gydF4y2Ba
压力(GPa)gydF4y2Ba 键长(A)gydF4y2Ba 键角(°)gydF4y2Ba
K-SegydF4y2Ba P-SegydF4y2Ba 瑟瑟gydF4y2Ba K-Se-PgydF4y2Ba
0gydF4y2Ba 2.8002gydF4y2Ba 1.9284gydF4y2Ba 1.9703gydF4y2Ba 83.030gydF4y2Ba
20.gydF4y2Ba 2.8460gydF4y2Ba 2.1322gydF4y2Ba 2.2821gydF4y2Ba 85.293gydF4y2Ba
30.gydF4y2Ba 2.7130gydF4y2Ba 2.0643gydF4y2Ba 2.2234gydF4y2Ba 84.275gydF4y2Ba
40gydF4y2Ba 2.6131gydF4y2Ba 2.0090gydF4y2Ba 2.1729gydF4y2Ba 83.822gydF4y2Ba
45gydF4y2Ba 2.5707gydF4y2Ba 1.9858gydF4y2Ba 2.1526gydF4y2Ba 84.094gydF4y2Ba
50gydF4y2Ba 2.5317gydF4y2Ba 1.9627gydF4y2Ba 2.1290gydF4y2Ba 84.285gydF4y2Ba

阴谋的压力与债券长度的原子。绿色曲线显示了钾之间的键长变化和硒在蓝色曲线为phosphorous-selenium债券的长度,和栗色的曲线显示了一个硒原子之间的键长变化和另一个硒原子。这是观察到的键长增加20 GPa后减少压力的进一步应用。gydF4y2Ba

支持材料的稳定性与压力有关的研究KPSe的带隙结构gydF4y2Ba6gydF4y2Ba就其焓、体积和密度数据的计算和分析gydF4y2Ba 10 ()gydF4y2Ba- - - - - -gydF4y2Ba 10 (c)gydF4y2Ba。gydF4y2Ba

(一)研究压力对材料的焓的影响。压力和焓的化合物被发现是成正比的。(b)。一块晶体的体积与压力。成反比关系得到如上所示。(c),一块计算化合物的密度和压力。随着越来越多的被引入系统的压力,KPSe的密度gydF4y2Ba6gydF4y2Ba也增加了。这意味着稳定的硫族化物复合KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba随着压力的增加改善(gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba]。gydF4y2Ba

 4所示。结论gydF4y2Ba

我们执行一个从头开始的理论和计算的研究硫族化物复合KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba。硫族化合物的结构和电子性质研究在高压力。结果表明这种材料的体积和能隙减少焓,费米能级,当我们增加压力和密度增加。这显示了这种材料的电导率增加而增加的压力。从这些计算,乐队的硫族化物KPSegydF4y2Ba6gydF4y2Ba重叠的压力∼45 GPa。这意味着材料经历了半导体金属与一个潜在的应用程序转换到高压力。gydF4y2Ba

 数据可用性gydF4y2Ba

KPSe6输入和输出数据用于支持本研究的发现可以从相应的作者。gydF4y2Ba

 的利益冲突gydF4y2Ba

作者宣称没有利益冲突。gydF4y2Ba

 确认gydF4y2Ba

作者要感谢主张的采集计算资源和我们的合作者集市Jared先生为他的贡献支持这项研究。gydF4y2Ba

 BouhemadougydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba KhenatagydF4y2Ba R。gydF4y2Ba ZegrargydF4y2Ba F。gydF4y2Ba SahnoungydF4y2Ba M。gydF4y2Ba BaltachegydF4y2Ba H。gydF4y2Ba ReshakgydF4y2Ba a . H。gydF4y2Ba 从头开始研究结构、电子、弹性和高压钡硫属化合物的性质gydF4y2Ba 计算材料科学gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 38gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 263年gydF4y2Ba 270年gydF4y2Ba 10.1016 / j.commatsci.2006.03.001gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33751025990gydF4y2Ba BilalgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 沙菲克gydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 艾哈迈德gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 汗gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 第一原则的研究结构、弹性、电子和光学性质Zn-chalcogenides面临压力gydF4y2Ba 半导体学报gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 35gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba 072001年gydF4y2Ba 10.1088 / 1674 - 4926/35/7/072001gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84904126378gydF4y2Ba 张成泽gydF4y2Ba j . I。gydF4y2Ba 海恩斯gydF4y2Ba 答:S。gydF4y2Ba SaoumagydF4y2Ba f . O。gydF4y2Ba OtienogydF4y2Ba c . O。gydF4y2Ba KanatzidisgydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba 宽带的研究强烈的KPSe_6中红外非线性光学响应gydF4y2Ba 光学材料表达gydF4y2Ba 2013年gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 1302年gydF4y2Ba 10.1364 / OME.3.001302gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84884187637gydF4y2Ba 2003年悍马,iAb initioi研究高pr.pdf下蒽gydF4y2Ba 马gydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba SagydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 李gydF4y2Ba Q。gydF4y2Ba 张gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 从头开始研究弹性、压电和单斜NaAsSe2非线性光学性能gydF4y2Ba 杂志的合金和化合物gydF4y2Ba 2013年gydF4y2Ba 568年gydF4y2Ba 16gydF4y2Ba 20.gydF4y2Ba 10.1016 / j.jallcom.2013.03.082gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84875924095gydF4y2Ba 从事gydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 塔·gydF4y2Ba e·s·R。gydF4y2Ba 高压对硫族化物眼镜gydF4y2Ba 《材料科学gydF4y2Ba 1985年gydF4y2Ba 7gydF4y2Ba 3 - 4gydF4y2Ba 271年gydF4y2Ba 302年gydF4y2Ba 10.1007 / BF02747579gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 51249171922gydF4y2Ba ThangavelgydF4y2Ba R。gydF4y2Ba PrathibagydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 为由NaancigydF4y2Ba B。gydF4y2Ba RajagopalangydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 库马尔gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 第一原理计算基态性质和结构相变的三元硫族化物半导体在高压gydF4y2Ba 计算材料科学gydF4y2Ba 2007年gydF4y2Ba 40gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 193年gydF4y2Ba 200年gydF4y2Ba 10.1016 / j.commatsci.2006.11.013gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 34447299651gydF4y2Ba 黄gydF4y2Ba T.-L。gydF4y2Ba 罗夫gydF4y2Ba a . L。gydF4y2Ba High-pressure-induced汞硫属化合物的相变gydF4y2Ba 物理评论BgydF4y2Ba 1985年gydF4y2Ba 31日gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 5976年gydF4y2Ba 5983年gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevB.31.5976gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0001220691gydF4y2Ba CharifigydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba BaazizgydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 哈桑gydF4y2Ba f·e·H。gydF4y2Ba BouarissagydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 高压研究钙硫属化合物的结构和电子性质gydF4y2Ba 物理学杂志》:凝聚态gydF4y2Ba 2005年gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba 4083年gydF4y2Ba 4092年gydF4y2Ba 10.1088 / 0953 - 8984/17/26/008gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 21044435037gydF4y2Ba 郝gydF4y2Ba a . M。gydF4y2Ba 杨gydF4y2Ba x C。gydF4y2Ba 高gydF4y2Ba z . M。gydF4y2Ba 刘gydF4y2Ba X。gydF4y2Ba 朱gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 刘gydF4y2Ba r P。gydF4y2Ba 采用基于调查的结构和弹性CaX (X =年代,Se和Te)在高压力gydF4y2Ba 高压力的研究gydF4y2Ba 2010年gydF4y2Ba 30.gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 310年gydF4y2Ba 317年gydF4y2Ba 10.1080 / 08957951003774254gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 77953180958gydF4y2Ba BenkhettougydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 瑞秋gydF4y2Ba D。gydF4y2Ba RabahgydF4y2Ba M。gydF4y2Ba 从头开始计算的稳定性和结构性能的镉硫属化合物cd、CdSe, CdTe高压下gydF4y2Ba 捷克斯洛伐克的物理学杂志gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 56gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 409年gydF4y2Ba 418年gydF4y2Ba 10.1007 / s10582 - 006 - 0102 - xgydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33646488821gydF4y2Ba KhachaigydF4y2Ba H。gydF4y2Ba KhenatagydF4y2Ba R。gydF4y2Ba HaddougydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 采用基于结构的研究中,电子和弹性压力下的钙硫属化合物gydF4y2Ba 物理ProcediagydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 921年gydF4y2Ba 925年gydF4y2Ba 10.1016 / j.phpro.2009.11.044gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 73649124988gydF4y2Ba BhardwajgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 白肢野牛gydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 钡硫属化合物的结构和弹性(X = O,伯灵顿,Te)在高压力gydF4y2Ba 开放的物理gydF4y2Ba 2008年gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 10.2478 / s11534 - 008 - 0011 - 7gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 41549091331gydF4y2Ba BhardwajgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 白肢野牛gydF4y2Ba n K。gydF4y2Ba 相变、力学性能和稳定的锶硫属化合物在高压力gydF4y2Ba 《分子结构:THEOCHEMgydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 897年gydF4y2Ba 1 - 3gydF4y2Ba 95年gydF4y2Ba 99年gydF4y2Ba 10.1016 / j.theochem.2008.11.033gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 59749089904gydF4y2Ba LutygydF4y2Ba T。gydF4y2Ba 伊克gydF4y2Ba c·J。gydF4y2Ba 固态反应的一般理论概念:定量反应腔的配方,经过压缩和使用一个弹性的多极表示化学反应压力的压力gydF4y2Ba 美国化学学会杂志》上gydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 117年gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 2441年gydF4y2Ba 2452年gydF4y2Ba 10.1021 / ja00114a008gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0001356865gydF4y2Ba SteurergydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 晶体结构的元素gydF4y2Ba 在材料科学和材料工程参考模块gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 荷兰阿姆斯特丹gydF4y2Ba 爱思唯尔gydF4y2Ba OlguingydF4y2Ba D。gydF4y2Ba CantarerogydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba 乌尔里希gydF4y2Ba C。gydF4y2Ba SyassengydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 压力对结构性能的影响和能量带隙gydF4y2Ba γgydF4y2Ba-InSegydF4y2Ba 自然史地位苏(b)gydF4y2Ba 2003年gydF4y2Ba 235年gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 456年gydF4y2Ba 463年gydF4y2Ba 10.1002 / pssb.200301602gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0037327415gydF4y2Ba 赵gydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 张gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 元gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 压力诱导与缺乏分层结构过渡金属化钼联硒化物gydF4y2Ba 自然通讯gydF4y2Ba 2015年gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 7312年gydF4y2Ba 10.1038 / ncomms8312gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84935015550gydF4y2Ba VarshneygydF4y2Ba D。gydF4y2Ba KauravgydF4y2Ba N。gydF4y2Ba KingegydF4y2Ba R。gydF4y2Ba 辛格gydF4y2Ba r·K。gydF4y2Ba 压力诱导相变(b1 b2)和弹性性质在碱土伯灵顿(X =年代,Se和Te)硫属化合物:相变gydF4y2Ba 相变gydF4y2Ba 2008年gydF4y2Ba 81年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 气gydF4y2Ba Z.-H。gydF4y2Ba Pressure-induced二硫化钼的金属化gydF4y2Ba 物理评论快报gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 113年gydF4y2Ba 3gydF4y2Ba 036802年gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevLett.113.036802gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84904562937gydF4y2Ba ItkingydF4y2Ba G。gydF4y2Ba 赫恩gydF4y2Ba g·R。gydF4y2Ba 立方米gydF4y2Ba E。gydF4y2Ba 帕斯捷尔纳克gydF4y2Ba m P。gydF4y2Ba PotzelgydF4y2Ba W。gydF4y2Ba Pressure-induced金属化的奈米gydF4y2Ba 物理评论BgydF4y2Ba 1995年gydF4y2Ba 51gydF4y2Ba 5gydF4y2Ba 3195年gydF4y2Ba 3197年gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevB.51.3195gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0011993482gydF4y2Ba 山冈gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba 下村gydF4y2Ba O。gydF4y2Ba NakazawagydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 的巨大gydF4y2Ba O。gydF4y2Ba BaS Pressure-induced相变gydF4y2Ba 固态通信gydF4y2Ba 1980年gydF4y2Ba 33gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 87年gydF4y2Ba 89年gydF4y2Ba 10.1016 / 0038 - 1098 (80)90702 - 4gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0018917775gydF4y2Ba ManjongydF4y2Ba f·J。gydF4y2Ba TiginyanugydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba UrsakigydF4y2Ba V。gydF4y2Ba Pressure-Induced相变在AB2X4硫族化物化合物gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 189年gydF4y2Ba 柏林,德国gydF4y2Ba 施普林格gydF4y2Ba DurandurdugydF4y2Ba M。gydF4y2Ba DraboldgydF4y2Ba d . A。gydF4y2Ba 模拟pressure-induced polyamorphism硫化物玻璃GeSe 2gydF4y2Ba 物理评论BgydF4y2Ba 2002年gydF4y2Ba 65年gydF4y2Ba 10gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevB.65.104208gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0000152942gydF4y2Ba SnopatingydF4y2Ba g . E。gydF4y2Ba ShiryaevgydF4y2Ba 诉。gydF4y2Ba PlotnichenkogydF4y2Ba 诉G。gydF4y2Ba DianovgydF4y2Ba e . M。gydF4y2Ba ChurbanovgydF4y2Ba m F。gydF4y2Ba 高纯硫族化物纤维光学眼镜gydF4y2Ba 无机材料gydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 45gydF4y2Ba 13gydF4y2Ba 1439年gydF4y2Ba 1460年gydF4y2Ba 10.1134 / S0020168509130019gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 70849113515gydF4y2Ba 钟gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba KanatzidisgydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba 金属硫属化合物:丰富的非线性光学材料gydF4y2Ba 化学材料gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 26gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 849年gydF4y2Ba 869年gydF4y2Ba 10.1021 / cm401737sgydF4y2Ba 2 - s2.0 - 84892586802gydF4y2Ba 分类帐gydF4y2Ba j . M。gydF4y2Ba 硫属化合物、磷族元素化物铈和铀在高压力gydF4y2Ba 自然史B:凝聚态gydF4y2Ba 1993年gydF4y2Ba 190年gydF4y2Ba 1gydF4y2Ba 84年gydF4y2Ba 91年gydF4y2Ba 10.1016 / 0921 - 4526 (93)90447 - egydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0027627615gydF4y2Ba 钟gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba M.-G。gydF4y2Ba 张成泽gydF4y2Ba j . I。gydF4y2Ba 他gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba KettersongydF4y2Ba j·B。gydF4y2Ba KanatzidisgydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba 强烈的非线性光学硫族化物薄膜APSe6从旋转涂布(A = K, Rb)gydF4y2Ba 《应用化学》gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 123年gydF4y2Ba 46gydF4y2Ba 11059年gydF4y2Ba 11062年gydF4y2Ba 10.1002 / ange.201103691gydF4y2Ba 钟gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 做gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba CanlasgydF4y2Ba c·G。gydF4y2Ba WelikygydF4y2Ba d . P。gydF4y2Ba KanatzidisgydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba APSe6 (A = K, Rb, Cs):聚合物selenophosphates可逆相变特性gydF4y2Ba 无机化学gydF4y2Ba 2004年gydF4y2Ba 43gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 2762年gydF4y2Ba 2764年gydF4y2Ba 10.1021 / ic035448qgydF4y2Ba 2 - s2.0 - 2142767362gydF4y2Ba 卢卡斯gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 红外线眼镜gydF4y2Ba 目前看来在固体和材料科学gydF4y2Ba 1999年gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 181年gydF4y2Ba 187年gydF4y2Ba 10.1016 / s1359 - 0286 (99) 00007 - 8gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0000617005gydF4y2Ba 梁gydF4y2Ba F。gydF4y2Ba 康gydF4y2Ba lgydF4y2Ba 林gydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 吴gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba 基于金属硫属化合物:中红外非线性光学材料组织性能的关系gydF4y2Ba 晶体生长与设计gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 17gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 2254年gydF4y2Ba 2289年gydF4y2Ba 10.1021 / acs.cgd.7b00214gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 85016936872gydF4y2Ba 皮尔森gydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 材料数据KPSe6 (SG: 29)材料Project-LBNL材料项目gydF4y2Ba 2014年gydF4y2Ba 美国加利福尼亚州伯克利gydF4y2Ba 劳伦斯伯克利国家实验室(LBNL)gydF4y2Ba 10.17188 / 1193275gydF4y2Ba 钟gydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba 金gydF4y2Ba M.-G。gydF4y2Ba 张成泽gydF4y2Ba j . I。gydF4y2Ba 他gydF4y2Ba J。gydF4y2Ba KettersongydF4y2Ba j·B。gydF4y2Ba KanatzidisgydF4y2Ba m·G。gydF4y2Ba 强烈的非线性光学硫族化物薄膜APSe6从旋转涂布(A = K, Rb)gydF4y2Ba 《应用化学国际版gydF4y2Ba 2011年gydF4y2Ba 50gydF4y2Ba 46gydF4y2Ba 10867年gydF4y2Ba 10870年gydF4y2Ba 10.1002 / anie.201103691gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 80855156737gydF4y2Ba ShollgydF4y2Ba d S。gydF4y2Ba SteckelgydF4y2Ba j . A。gydF4y2Ba 密度泛函力学实际介绍gydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 美国新泽西州霍博肯gydF4y2Ba 威利gydF4y2Ba “pw_user_guide.pdf。”gydF4y2Ba GiannozzigydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 布洛尼gydF4y2Ba 年代。gydF4y2Ba BoninigydF4y2Ba N。gydF4y2Ba 量子咖啡:模块化和开源软件项目量子模拟材料gydF4y2Ba 物理学杂志》:凝聚态gydF4y2Ba 2009年gydF4y2Ba 21gydF4y2Ba 39gydF4y2Ba 395502年gydF4y2Ba 10.1088 / 0953 - 8984/21/39/395502gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 70349568754gydF4y2Ba Mori-SanchezgydF4y2Ba P。gydF4y2Ba 科恩gydF4y2Ba a·J。gydF4y2Ba 杨gydF4y2Ba W。gydF4y2Ba 本地化和移位错误在密度泛函理论和对带隙的影响的预测gydF4y2Ba 物理评论快报gydF4y2Ba 2008年gydF4y2Ba One hundred.gydF4y2Ba 14gydF4y2Ba 146401年gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevLett.100.146401gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 41949121296gydF4y2Ba “凝聚matter-why密度泛函理论(DFT)低估了带隙?“物理堆栈交换,gydF4y2Ba https://physics.stackexchange.com/questions/176419/why-does-density-functional-theory-dft-underestimate-bandgapsgydF4y2Ba GulyamovgydF4y2Ba G。gydF4y2Ba ErkaboevgydF4y2Ba 我。gydF4y2Ba GulyamovgydF4y2Ba a·G。gydF4y2Ba 压力对温度的依赖关系的影响在半导体量子振荡现象gydF4y2Ba 凝聚态物理的进步gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 2017年gydF4y2Ba 6gydF4y2Ba 6747853gydF4y2Ba 10.1155 / 2017/6747853gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 85017165941gydF4y2Ba 刘翔gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba Jing-GenggydF4y2Ba Z。gydF4y2Ba 勇gydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba Feng-YinggydF4y2Ba lgydF4y2Ba Ri-ChenggydF4y2Ba Y。gydF4y2Ba chang qinggydF4y2Ba J。gydF4y2Ba 高压下金属化铜3 N半导体gydF4y2Ba 中国物理快报gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 23gydF4y2Ba 2gydF4y2Ba 426年gydF4y2Ba 427年gydF4y2Ba 10.1088 / 0256 - 307 x / 23/2/042gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 31744441956gydF4y2Ba 锤头gydF4y2Ba H。gydF4y2Ba 奥托gydF4y2Ba 一个。gydF4y2Ba SyassengydF4y2Ba K。gydF4y2Ba 压强的依赖关系d带银的费米能级激发阈值gydF4y2Ba 物理评论BgydF4y2Ba 1984年gydF4y2Ba 29日gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevB.29.5458gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0012103211gydF4y2Ba 杰哈gydF4y2Ba p K。gydF4y2Ba SakallegydF4y2Ba 美国K。gydF4y2Ba SanyalgydF4y2Ba s P。gydF4y2Ba 高压结构相变碱土金属硫属化合物gydF4y2Ba 固体的物理和化学》杂志上gydF4y2Ba 1998年gydF4y2Ba 59gydF4y2Ba 9gydF4y2Ba 1633年gydF4y2Ba 1637年gydF4y2Ba 10.1016 / s0022 - 3697 (98) 00036 - 5gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 0032158128gydF4y2Ba 皮卡德gydF4y2Ba c·J。gydF4y2Ba 需要gydF4y2Ba r . J。gydF4y2Ba 高压阶段的硅烷gydF4y2Ba 物理评论快报gydF4y2Ba 2006年gydF4y2Ba 97年gydF4y2Ba 4gydF4y2Ba 045504年gydF4y2Ba 10.1103 / PhysRevLett.97.045504gydF4y2Ba 2 - s2.0 - 33746597118gydF4y2Ba