在凝聚态物理进展

我们报告的半导体硫族化合物KPSe的压力引起的半导体 - 金属的相变的结果₆下，使用从头方法高压。基态能量的计算是密度泛函理论和使用具有平面波的基组赝势方法广义梯度近似内进行。该投影放大波（PAW）赝是在我们的计算中使用。优化的晶格参数是从总能量计算为13玻尔，1.6玻尔和1.8玻尔发现分别为单元尺寸的一个，两个，和三个，这是在与实验计算吻合。At zero pressure, the material portrayed a semiconducting property with a direct bandgap of ≈1.7 eV. As we subjected the material to pressure, the band gap was observed to reduce until it disappeared. The phase transition from the semiconductor to metal was found to occur at ∼45 GPa, implying that the material underwent metallization as pressure was increased further.

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研究了p-硅(Si)和n-氧化锌(ZnO)纳米异质结二极管的电特性。采用水化学生长(ACG)方法在p-硅衬底上生长了氧化锌纳米棒。SEM图像显示出高密度、垂直排列的六角形ZnO纳米棒，平均高度约为1.2μ米/正ZnO纳米棒的电学表征的p-Si异质结二极管由电流 - 电压（I-V），电容 - 电压（C-V），以及电导 - 电压（G-V）在室温下测量完成。The heterojunction exhibited good electrical characteristics with diode-like rectifying behaviour with an ideality factor of 2.7, rectification factor of 52, and barrier height of 0.7 V. Energy band (EB) structure has been studied to investigate the factors responsible for small rectification factor. In order to investigate nonidealities, series resistance and distribution of interface state density (N_SS）的导带（CB）下面用I-V和C-V和G-V测量的帮助下提取。The series resistances were found to be 0.70, 0.73, and 0.75 KΩ, and density distribution interface states from 8.38 × 10¹²to 5.83 × 10¹¹ eV^-1 cm^-2were obtained from 0.01 eV to 0.55 eV below the conduction band.

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近年来，无线能量传输技术发展迅速，并日益受到重视的产业。对于微波无线能量传输系统的应用，通常使用锗肖特基二极管作为整流电路的核心组件。有Ge半导体相比，Si衬底上应变Ge半导体具有有Si工艺，成本低，以及高电子迁移率的相容性的优点。它是锗半导体应用的理想替代材料。鉴于此，基于应变Ge半导体对Si基板肖特基二极管和该设备的几何参数和材料的物理参数的性能之间的关系的模型，Silvaco的TCAD和ADS仿真软件联合使用提出一种新颖的应变上的Si衬底肖特基二极管微波整流电路锗半导体。Simulation results show that the strained Ge semiconductor on Si substrate Schottky diode has a rectification efficiency of 70.1% when the input of the rectifier circuit is 20 dBm, the load resistance is[R = 1000 Ω, and the load capacitance isC = 100 pF. Compared with traditional Ge Schottky diodes, this optimal operating point is closer to a low energy density, which is beneficial to a wide range of energy absorption. Studies have shown the feasibility of replacing Ge Schottky diodes. The research in this paper can provide valuable reference for the design and development of the core components of the rectifier circuit of the microwave infinite energy transmission system.

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的电子结构和锰（MN-）掺杂的双层（BL）二硫化钼（MOS的磁特性₂）使用密度泛函理论（DFT研究）以及现场哈伯德潜在校正（ü）。结果表明锰是取代在BL硫化钼的Mo位₂是积极有利的下含硫（S-）富制度比Mo的两个锰（Mn）中的MoS BL原子之间的磁相互作用₂总是铁磁（FM），不考虑它们之间的空间距离，但与原子间距铁磁相互作用衰变的强度。人们还发现，两种掺杂在BL MOS管不同层₂沟通铁磁。除此之外，BL MOS管的详细调查₂其单层对口表示BL硫化钼的胀裂互动₂影响Mn掺杂BL的MoS的磁相互作用₂。The calculated Curie temperature is 324, 418, and 381 K for impurity concentration of ， ，和 ，分别，这是高于室温，和掺杂剂浓度的良好稀释极限是0-6.25％。基于这一发现，所以建议Mn掺杂BL的MoS₂对于二维（2D）稀磁半导体（DMS），用于高温应用自旋电子学希望的候选。

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虽然粗糙度可以忽略不计，用于通过在经典流体力学管层流，表面粗糙度可能在微尺度的流体流动中起重要作用，由于表面积与体积的比值大。为了进一步验证在微尺度液体流动和传热粗糙表面的影响，热传递和液体流的性能的测试系统的设计和建造，和一系列的实验检查的导通，其中，所述微通道的材料是不锈钢和工作介质是甲醇。结果表明，表面粗糙度起着层流和在微通道的热传递的过程的显著作用。与粗糙度特性微通道，液体层流的泊肃叶数不仅依赖于所述粗糙微的横截面形状，而且在液体流的雷诺数。液体层的泊肃数粗糙微流增加，随着雷诺数。此外，液层传热的努塞尔数不仅粗略微通道的横截面形状，而且，以雷诺数液体流动，且随着雷诺数的努塞尔数的增加相关。

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在这项研究中，我们考虑在一个超导体/量子点/超导结组成的系统的约瑟夫森电流。在该模型中，在量子点的库仑相互作用被考虑，并且Lacroix的近似被应用于研究电子相关。我们通过应用拉克鲁瓦截断推导出量子点的格林函数。虽然安德列夫绑定状态，不会发生在我们的配方中，π- 结发生用于受限参数范围。在比较近藤温度与通过其他方法估算，可以发现，我们的Lacroix近似不能在超导体/量子点/超导结捕捉以及近藤物理。

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