Ty-Jour A2 - Seehra，Mohindar S. Au - Doan，Manh-Ha Au - Lee，Jaejin Py - 2014Da - 2014/09/01 Ti - 空间解决的阴极致发光在高效Ingan / GaN中的缺陷附近蓝光发光二极管SP - 671210 VL - 2014 AB - 除了IngaN / GaN多量子阱的标准447 nm蓝色排放，在高效Ingan / GaN蓝的阴极发光光谱中清楚地观察到高能肩部通过金属化学气相沉积在蓝宝石基材上生长的发光二极管。在低温下测量的样品的单色阴极致发光图像揭示了脱位附近的两种排放之间的竞争。高能量发射在位错核附近的区域处于主导，而蓝色排放围绕位错边缘增强。高能量发射区域被认为是潜在的屏障，其防止载体在脱位处不受非接近重组的蓝色发射。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2014/671210 do - 10.1155/2014 / 671210 jf - 冷凝物物理Pb - Hindwi Publishing Corporation KW - ER -