TY -的A2 -荣格,简答:非盟——张、赵盟歌,Jianjun盟——张,杰盟——刘Shulin PY - 2018 DA - 2018/08/07 TI -热物理学模拟激光再结晶High-Ge-Content锗硅在Si衬底SP - 5863632六世- 2018 AB - Si衬底上的锗硅材料High-Ge-Content不仅可以应用光学设备和电子设备也是一个研究和发展的重点领域。然而,由于4.2%的硅晶格不匹配和通用电气,high-Ge-content的外延生长锗硅外延层直接在硅衬底上缺陷密度高,这将严重影响后续设备的性能。激光再结晶技术是一种快速和低成本的方法来有效减少线程位错密度(TDD)外延high-Ge-content硅锗硅薄膜。本文通过有限元数值模拟,808 nm激光再结晶的热物理模型high-Ge-content锗硅薄膜(例如,如果_0.2通用电气_0.8在硅基片上)(温度分布的物理模型Si成立_0.2通用电气_0.8外延层在不同激光功率下,Si_0.2通用电气_0.8外延层厚度和初始温度)。本文的结果可以提供重要的技术支持的高质量high-Ge-content锗硅外延层硅基板的激光再结晶。SN - 1687 - 8108 UR - https://doi.org/10.1155/2018/5863632 - 10.1155 / 2018/5863632摩根富林明凝聚态物理的进步PB - Hindawi KW - ER