tio - AU - Nyawere, p.o. AU - Otieno, c.o. AU - Nyawere, p.w.o. PY - 2020 DA - 2020/05/01 TI - Ab起始高压研究硫系化合物KPSe的半导体-金属相变₆我们报告了半导体硫系化合物KPSe在压力诱导下的半导体-金属相变的结果₆在高压下使用从头算法。在密度泛函理论和基于平面波基集的伪势广义梯度近似下进行了基态能量计算。计算中使用了投影仪增强波伪势。从总能量计算中得到的优化晶格参数分别为13玻尔、1.6玻尔和1.8玻尔，与实验计算结果吻合较好。在零压力下，材料表现出半导体特性，直接带隙≈1.7 eV。当我们对材料施加压力时，可以观察到带隙减小直到消失。从半导体到金属的相变发生在~ 45 GPa，这意味着随着压力的进一步增加，材料经历了金属化。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2020/3407141 DO - 10.1155/2020/3407141 JF -凝聚态物理进展