ty -jour a2 -fernando，gayanath au -Zhang，chunhong au -Zhang，Zhongzheng au -Yan，Yan，Wanjun au -Qin，Xinmao py -2021 da -2021/07/01 ti-掺杂对光照相的效果-3718040 VL -2021 AB-硼苯基是一种具有一系列独特和多元化特性的二维材料的新型。但是，大多数研究仍处于起步阶段，尚未深入研究。特别是在半导体光电学领域，没有关于唯一光电特性调节的相关研究。在这项工作中，我们专注于使用第一原理伪能力平面波法对硼苯掺杂的影响。我们计算几何结构，电子结构，穆里肯种群分析和杂质的光学特性（ X = Al, Ga) doped α- 唯一唯一的唯一。结果表明 α-Sheet Borophene是一种间接带隙半导体，具有1.396 eV。在AL和GA掺杂后，频带隙变宽，频带隙值分别为1.437 eV和1.422 eV。由于少数Al-3p电子和GA-4P状态电子之间的轨道杂交以及在费米水平附近的大量B 2P状态电子，因此硼苯的带隙和状态的电子密度的峰值变化和峰值。掺杂后还原。Mulliken人口分析表明B₀-b键主要是共价键，但也有少量的离子键。但是，当杂质X被掺杂时，X和B原子之间的电荷转移显着增加，相应的X-B键的种群减少，表明掺杂系统中化学键的共价键强度削弱了，并且化学物质削弱了。债券具有明显的方向性。光学性质的计算表明，唯一材料的静态介电常数增加，新介电峰的出现表明Al和GA的掺杂可以增强硼苯储存电磁能的能力。掺杂后，峰反射率降低和静态折射率 n ₀增加，这也填补了唯一材料吸收红光和红外光线的空白。研究结果为红外检测装置领域中唯一材料的发展提供了基础。以上结果表明掺杂可以调节光电特性 α- 唯一唯一的唯一。SN -1687-8108 UR -https：//doi.org/10.1155/2021/3718040 do -10.1155/2021/3718040 JF-凝结物质物理PB -Hindawi KW -er -er- er- er- er- er- er- er- ER-