基于外加电场和应变的GaSe/ silicon heterowaals异质结构的TI -调谐电子性能利用第一性原理计算方法研究了GaSe/硅烷(GaSe/SiH)异质结构在垂直电场和应变作用下的电子结构。异质结构在[−1.0，−0.4]V/Å范围内具有间接带隙特性，在[−0.3,0.2]V/Å范围内具有直接带隙特性。在−0.7和−0.3 V/Å处出现了ii型到i型的波段对准转变。此外，GaSe/SiH vdW异质结构在应变下有ii型能带取向，但在−3%时出现间接到直接的带隙半导体跃迁。这些结果表明，GaSe/SiH vdW异质结构可能在新型纳米电子和光电子器件中有应用前景。SN - 1687-8108 UR - https://doi.org/10.1155/2021/5514897 DO - 10.1155/ 201 /5514897 JF -凝聚态物理进展