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The Design of an Ultralow-Power Ultra-wideband (5 GHz–10 GHz) Low Noise Amplifier in 0.13 μm CMOS技术
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四端口双模双工高信号隔离
提出了一种易于实现高信号隔离的四端口双模双工器。一个紧凑的双模双工器与高信号隔离之间的Rx和Tx模块是可以实现的，只使用一个谐振腔滤波器拓扑。两个背对背双模双工器在一个支路中有180°相移。采用振幅相消技术可实现高隔离。采用移相器可方便地实现延时传输线。模拟和实测的四端口双模双工器分别设计在Rx/Tx的中心频率为1.95 GHz和2.14 GHz。Rx/Tx双模双工器器件的测量结果为47.1 dB Rx/Tx隔离。这个四端口双模双工器实现了隔离(小号32) of more than 24.1 dB when compared with the conventional three-port dual-mode diplexer structure.
栅极接地LDMOS系统中热载波抗扰度和鲁棒性的设计权衡
与栅极接地屏蔽结构变化LDMOS器件进行了模拟和测试，旨在解决热载流子的免疫力和鲁棒性兼任。栅极接地屏蔽结构的最佳配置，发现在栅极 - 漏极重叠，以减少局部的电场强度为更好热载流子的免疫力，并实现对漏极侧均匀的电场分布的鲁棒性为好。设计折衷热载流子的免疫力（HCI）和鲁棒性的由模拟和硅数据进行分析。
基于bdd的低功耗DTIG FinFET电路拓扑优化
提出了一种基于二进制决策图(BDD)表示的逻辑综合方法。对双阈值独立门(DTIG) FinFET电路进行了优化。详细阐述了基于bdd的拓扑优化算法。通过提取算法提取出BDD的几种特征子图结构，然后反馈到映射算法，得到基于预定义的DTIG FinFET逻辑门的最终优化电路。通过与ABC、DC工具的比较，对MCNC基准电路进行了测试。仿真结果表明，所提出的综合方法能够有效地改善DTIG FinFET电路的性能。
通过降低准饱和效应来提高射频LDMOS的线性度和鲁棒性
本文首次同时讨论了线性和鲁棒性，并提出了改进的方法。结果表明，器件在准饱和区工作时的非线性跨导是影响器件线性的重要因素。峰值电场是引起电子速度饱和的根本原因。靠近漏极漂移区域的高电场会产生更多的电子空穴对，从而触发寄生NPN晶体管的导通，导致器件失效。利用TCAD对不同漂移区域掺杂的器件进行了模拟和测量。加入LDD4后，漂移区峰值电场减小;跨导的线性区域被加宽。相邻信道功率比减小2 dBc;在NPN晶体管接通之前可以多放电12%的功率，具有更好的线性度和鲁棒性。
减少晶体管的短通道效应，减小模拟电路的尺寸
模拟集成电路从不遵循摩尔定律。这对于无源组件尤其正确。由于短通道效应，我们必须实现较长的晶体管，特别是模拟电池。在本文中，我们提出一种新的拓扑结构，利用FDSOI(完全耗尽的绝缘体上的硅)技术的一些优点，以减少模拟电池的大小。首先，选择一个当前的镜像来说明和验证一个新设计。测量电流，35nm晶体管长度，验证了我们新的交叉耦合的后门拓扑。然后，基于互补逆变器的VCRO(电压控制环形振荡器)也被用来去除减小电路尺寸的无源元件。
高电压穿越PMSG为基础的风力发电系统使用超级电容器的控制
关于基于PMSG-风力涡轮机发电系统，本文提出了一种并联连接背面到后端转换器的DC链路，以提高通过它的性能高电压穿越的超级电容器能量存储单元（SCESU）。的操作和控制用于电网侧变流器和SCESU的分析中进行。基于实时数字仿真器（RTDS），模型和硬件在环仿真与SCESU基于PMSG风力涡轮机（HIL）平台开发，仿真结果表明，SCESU吸收不平衡能量，电网侧转换器，吸音减震期间电压涌浪的周期感性无功功率和验证通过控制策略的高电压穿越的正确性和可行性。
