tijour A2 - Ghibaudo, G. AU - Maouhoub, Noureddine AU - Rais, Khalid PY - 2011 DA - 2011/10/13 TI -系列电阻和迁移率降解参数的表征和氧化层厚度的优化选择gydF4y2BaNgydF4y2Ba本文提出了两种方法来提取短沟道MOSFET的串联电阻和迁移率退化参数。第一个方法的原理是基于指数模型和经典模型之间的比较有效的流动,第二种方法是基于直接计算两个参数通过求解两个方程组获得通过使用两个不同的点在强烈的反转小排水的偏见特征gydF4y2Ba 我gydF4y2Ba dgydF4y2Ba （gydF4y2Ba VgydF4y2Ba ggydF4y2Ba )．结果表明，这些技术得到的结果与数据测量有较好的一致性，并允许在同一时间确定表面粗糙度幅值及其对最大漏极电流的影响，并给出最佳的氧化物厚度。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2011/713129 DO - 10.1155/2011/713129 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -gydF4y2Ba