ty -jour a2 -lee，kuan -wei au -lee，ming -kwei au -yen，chih -feng py -2012 da -2012/2012/16/16 ti-理解后金属化的MOCVD-上处理的III -V半导体SP -148705 VL -2012 AB- TIO的电特性₂研究了在III-V半导体上生长的膜（例如，通过金属有机化学蒸气沉积的III-V半导体（例如P型INP和GAA）。与（NH₄）₂S处理，由于天然氧化物的减少，MOS电容器的电特性得到了改善。金属化退火可以进一步改善电气特性，这会导致氢原子离子钝化缺陷和多晶Tio的晶界₂电影。用于金属后退火TIO₂在（NH₄）₂经过处理的INP MOS，泄漏电流密度可以达到 2.7 × 10 - 7 和 2.3 × 10 - 7  A/cm²在 ± 1  MV/cm, respectively. The dielectric constant and effective oxide charges are 46 and 1.96 × 10 12  C/cm²， 分别。接口状态密度为 7.13 × 10 11  cm^-2ev^-1从价带的边缘到0.67 eV的能量。用于金属后退火TIO₂在（NH₄）₂经过处理的GAAS MOS，泄漏电流密度可以达到 9.7 × 10 - 8 和 1.4 × 10 - 7 在 ± 1  MV/cm, respectively. The dielectric constant and effective oxide charges are 66 and 1.86 × 10 12  C/cm²， 分别。接口状态密度为 5.96 × 10 11  cm^-2ev^-1从价带的边缘到0.7 eV的能量。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2012/148705 do -10.1155/2012/202012/148705 JF-主动和被动电子零件