TY -的A2 -李,Pei-Wen AU - Lin Chao-Wei盟——赵Hsien-Chin PY - 2012 DA - 2012/12/03 TI - GaN-Based高k氧化镨MISFETs门+紫外线界面处理技术SP - 459043六世- 2012 AB -本研究探讨了氧化镨(Pr₂O₃-)钝化沃甘/氮化镓高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)金属绝缘体半导体具有高介电常数的沃甘肖特基层处理P₂年代₅/ (NH₄)₂ 年代 X +紫外线(UV)照明。一个电子束蒸发的公关₂O₃绝缘子是用来代替传统plasma-assisted化学气相沉积(PECVD) ",为了防止plasma-induced损坏沃甘。在这部作品中,HEMTs使用P₂年代₅/ (NH₄)₂ 年代 X 解决方案和紫外光照前门口绝缘子(公关₂O₃)沉积。因为稳定的硫,是绑定到Ga物种可以很容易获得和表面氧原子减少P₂年代₅/ (NH₄)₂ 年代 X 预处理、最低的泄漏电流是MIS-HEMT观察。此外,闪烁噪声和较低的表面粗糙度较低(0.38海里)也获得使用此小说的过程,这表明它能减少表面状态。低漏电流公关门₂O₃和高- - - - - - k沃甘/氮化镓MIS-HEMTs, P₂年代₅/ (NH₄)₂ 年代 X +紫外线光照治疗,适合低噪声的应用程序,因为electron-beam-evaporated绝缘子和新的化学预处理。SN - 0882 - 7516你2012/459043 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/459043——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER