ty -jour a2 -Ghibaudo，Gerard au -Murray，Hugues Au -Martin，Patrick PY- 2012年DA-2012/2012/25 TI-统一的频道指控表达式用于分析MOSFET建模SP -652478 VL -2012 AB-基于A基于A1D泊松方程分辨率，我们提出了一个反转电荷的分析模型，允许计算金属氧化物半导体场效应晶体管中的排水电流和跨导率。漏极电流和跨导率通过分析功能（包括迁移率校正和短通道效应（CLM，DIBL））来描述。与PAO-SAH积分的比较显示了模型在从强度到弱反转的所有反转模式中的出色精度。所有计算均用简单的C程序编码，并给出瞬时结果，为微电子用户提供有效的工具。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2012/652478 do -10.1155/2012/2012/652478 JF-活跃和被动的电子零件