TY -的A2 Wang Yeong-Her盟——狗,Chung-Yen盟——徐Jei-Wei盟——赵Pei-Chin盟——Chyi Jen-Inn AU - Li Pei-Wen PY - 2012 DA - 2012/07/02 TI -门堆栈在电气工程和热处理和TI / Pt /高频振荡器的界面特性₂/在pMOS电容器SP - 729328六世- 2012 AB -门堆栈工程和热处理对电器的影响和界面性质的Ti / Pt /高频振荡器₂/ ina金属绝缘体半导体(MIS)电容器被系统地评估在透射电子显微镜、能量色散x射线光谱法、电流电压,capacitance-voltage特征。10 nm厚Pt金属有效抑制界面氧化物的形成,TiO₂Ti门和高频振荡器之间₂栅介电层,提高表面的门灯艾娜的潜力。一个 原位高频振荡器₂沉积在 n-InAs通道的界面层(IL) one-monolayer InP后跟一个300°C post-metal-anneal产生高质量的高频振荡器₂/ ina接口,从而破坏了恼人的费米能级钉,体现的不同的电容在高/低频 C-V特征。界面陷阱状态可以通过替换输入进一步抑制IL的丰富艾娜,由一个门证实减少渗漏和陡峭的压敏电阻器损耗电容。SN - 0882 - 7516你2012/729328 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/729328——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER