TY -的A2 -李,Kuan-Wei AU -杨,Yi-Lin盟——张麒AU - Cheng Chi-Yun AU -叶,Wen-kuan PY - 2012 DA - 2012/06/13 TI - High-k /金属栅pMOSFET的可靠性的提高与各种PMA设备条件SP - 872494六世- 2012 AB -氧和氮被证明通过锡层扩散High-k /金属门在PMA设备。氧和氮氧化退火将降低栅泄漏电流不增加厚度。阈值电压的设备与各种PMA条件改变。设备的可靠性,特别是氧气退火设备,改善了PMA后治疗。SN - 0882 - 7516你2012/872494 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/872494——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER