ty -jour a2 -lee，kuan -wei au -lin，jyi -tsong au -eng，yi -chuen au -lin，po -hsieh py -2013 da -2013/02/18 ti- ti-新颖的纳米级FDSOI MOSFET，带有块带块-oxide SP-627873 VL-2013 AB-我们通过将氧化物侧壁间隔技术应用于块状氧化物封闭的Si身体来改善设备性能，以创建一个完全消耗的硅启动硅（FDSOI）NMOSFET，这使人们需要克服的需要，从而胜过需要解决的需求。统一的超薄硅膜。沿Si体的侧壁存在块状氧化物可显着减少漏极偏置在通道上的影响。因此，拟议的FDSOI结构在其排水诱导的屏障降低（DIBL），ON/OFF电流比，阈值秋千和阈值电压滚动方面优于常规FDSOI。实际上，新的FDSOI结构的行为类似于超薄体（UTB）SOI，但没有相关的缺点和超薄膜的缺点和技术挑战，因为较厚的SI身体可以降低对自热的敏感性，从而改善热稳定性。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2013/627873 do -10.1155/2013/2013/627873 JF-活跃和被动的电子零件PB- Hindawi出版公司