TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU -卡尔桑迪,a . AU -秋儿,a . PY - 2013 DA - 2013/06/02 TI -建模通道的厚度影响电特性和串联电阻Gate-Recessed纳米SOI mosfet SP - 801634六世- 2013 AB -超薄体(UTB)和纳米级体(简称NSB) SOI-MOSFET设备,与一个通道共享一个相似的W / L但46,低于5 nm,厚度分别是制造使用选择性“Gate-Recessed”过程在同一硅片。电流电压特性测量在室温下是惊人的不同由几个数量级。我们分析了这个结果,考虑到严重的流动性退化和一个巨大的串联电阻的影响,发现最后一个似乎更连贯。然后讲的电特性可以通过整合分析派生栅源漏压敏电阻器串联电阻。在这篇文章中,串联电阻上的通道厚度的影响是首次报道。这种影响是综合的分析模型,以描述趋势的饱和电流通道厚度。这种建模方法可能是有用的解释异常电行为的其他设备中,串联电阻及其/或流动性退化是一个大问题。SN - 0882 - 7516你2013/801634 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2013/801634——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER