TY -的A2 Mercha Abdelkarim AU -卡尔桑迪,a . AU -秋儿,a . PY - 2014 DA - 2014/06/11 TI -Y功能分析超薄薄膜的低温行为FD SOI mosfet SP - 697369六世- 2014 AB -超薄体各自的传输特性(UTB)和门隐藏式通道(GRC)设备,共享相同的 W / L比不过46纳米通道的厚度,和分别为2.2 nm,测量在300 K和77 K。通过减少温度我们发现这些设备的电气行为截然相反:如果UTB设备,电导率增加,对GRC相反的效果观察。低场电子迁移率和串联电阻 R SD 使用方法基于值提取 Y温度的函数。如果 R SD UTB低价值被发现,很高的值(> 1 米 Ω 集选区)提取。令人惊讶的是,在过去的设备,找到有效场流动性很低(< 1 厘米 2 / Vs )和减少通过降低温度。之后讨论了这种分析的局限性。这个案例研究说明了的优势 Y在识别参数的相关性分析纳米电气设备和提供了一个连贯的解释异常行为。SN - 0882 - 7516你2014/697369 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2014/697369——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER