TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU - Ciprut, a . AU -秋儿,a . AU -卡尔桑迪,a . PY - 2015 DA - 2015/05/26 TI -使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet SP - 460416六世- 2015 AB - TCAD工具已经在很大程度上改善在过去几十年为了支持流程和设备补充模拟通常是基于不断发展模型后,技术进步。在本文中,我们比较实验和TCAD仿真结果的两种纳米设备:超薄体(UTB)和纳米级体(简称NSB) SOI-MOSFET设备,共享相同的 W / L比不过一个通道的厚度比10:1(46和4.6 nm,职责)。实验转移 电流-电压特征被发现是由几个数量级。令人惊讶的是不同的我们分析了这个结果,考虑到严重的流动性退化和大栅电压依赖的串联电阻的影响( R SD )。TCAD工具通常不考虑 R SD 通道厚度或栅电压依赖性。后观察流动之间的明显差异值提取我们的测量和建模的TCAD模型,我们提出一个新的模型的半经验的方法转移特点。SN - 0882 - 7516你2015/460416 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2015/460416——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi出版公司KW - ER