ty -jour a2 -Ghibaudo，Gerard au -Karsenty，Avi au -Chelly，Avraham PY- 2015 DA -2015/10/2015/10/28 TI-使用纳米级遗传通道Process SP -609828 VL- -609828 VL--609828 VL--609828 VL--609828 VL-2015 AB-纳米级门不到的通道（GRC）完全耗尽的（FD-）SOI MOSFET设备，带有硅通道厚度（ t si ）首先在室温下测试低至2.2 nm的功能检查，然后在低温（77 K）下进行测试 我 - v 特征。尽管它具有FD-SOI纳米级厚度和较长的通道特征，但该设备令人惊讶地在RT时表现出排水诱导的屏障降低（DIBL）效应。然而，在77 K处抑制了这种效果。如果可以通过位于通道边缘的寄生短通道晶体管来解释这种异常效应，则通过漏极和漏极和漏极之间的势屏障的减少来解释其抑制。降低温度时通道。SN -0882-7516 UR -https：//doi.org/10.1155/2015/609828 do -10.1155/2015/2015/609828 JF-活跃和被动电子零件PB- Hindawi Publishing Corporation kw -er -er- er- er- er- er- er- er- er- er- er- er-