TY - JOUR A2 - Wang, Mingxiang AU - Shukla, Satyam AU - Gill, Sandeep Singh AU - Kaur, Navneet AU - Jatana, h.s. AU - Nehru，20 nm三角FinFET工艺参数变化的比较仿真分析在深亚微米技术中，通过改变MOSFET的器件结构可以实现栅极长度和氧化物厚度的进一步缩放。对于沟道长度为10 ~ 30 nm的MOSFET器件，多栅MOSFET被认为是最有前途的器件，其中finfet是领先的多栅MOSFET器件。可以改变工艺参数以获得期望的FinFET器件性能。在本文中，对开关电流比( 我 o n / 我 o f f )、亚阈值摆动(SS)和漏极诱导屏障降低(DIBL)，即掺杂浓度(10¹⁵/厘米^3.到10¹⁸/厘米^3.)、氧化层厚度(0.5 nm和1 nm)和翅片高度(10 nm至40 nm)，对20nm三角形FinFET器件进行了研究。设计仿真中采用的密度梯度模型包含了可观的量子效应，为器件仿真提供了更实际的环境。仿真结果表明，翅片形状对FinFET性能有较大影响，三角翅片形状可以降低漏电流和sce。对仿真结果进行了对比分析，观察了工艺参数对设计FinFET性能的影响。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2017/5947819 DO - 10.1155/2017/5947819 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi KW - ER -