TY - JOUR A2 - 礼品，斯蒂芬AU - Banchuin，Rawid PY - 2018 DA - 2018年11月1日TI - 在Memristances，参数和分数阶忆阻器SP的分析 - 3408480 VL - 2018 AB - 在这项工作中，memristances，相关参数和分数阶忆阻器的时域行为分析的解析表达式已经被提出。这两个DC任意延迟和许多AC波形，包括任意相位的正弦余弦和任意周期波形沿波形已经考虑在内。不同于以往的作品中，以前被忽略的尺寸一致性已经考虑到并已执行的边界效应的分析模型。此外，瞬态和由交流激励的分数阶忆阻器波形已经辨别和分析的渐近行为。交流波形的相位的影响也进行了研究。分数为电压 - 电流的磁滞回线和忆阻电流利萨如曲线的区域的影响也被明显地讨论并在忆阻器基于电路分数阶忆阻器的使用还已证明。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2018/3408480 DO - 10.1155 /三百四十万八千四百八十零分之二千〇十八JF - 有源和无源电子元件PB - Hindawi出版KW - ER -