TY -的A2 Ghibaudo杰拉德盟,Joshi Vinod Kumar盟——Nayak Chetana PY - 2018 DA - 2018/07/25 TI - DRV评价6 t SRAM单元使用高效优化技术SP - 3457284六世- 2018 AB -一个基于优化的方法,使用二分搜索算法提出了评估的准确值数据保留电压(DRV) 6 t静态随机存取存储器(SRAM)细胞使用45纳米技术在工艺参数变化的存在。进一步,我们把一个人工神经网络(ANN)块在我们提出的方法来优化仿真运行时。最高的值从这两种方法获得DRV声明。我们指出DRV随温度的增加( T )(pv)和过程变化。该技术的主要优势是减少DRV评估时间和我们的例子中,我们观察改善DRV的评估时间 ≈ 46 , ≈ 27 , ≈ 8 为3 * 25°C σ4 σ,5 σ变化,分别使用块不使用安和块。SN - 0882 - 7516你2018/3457284 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2018/3457284——摩根富林明,主动和被动电子元器件PB - Hindawi KW - ER