TY -的A2 -哈桑,s m . Rezaul AU - Mo,海丰盟——张赵耀辉经济学盟歌,Helun PY - 2019 DA - 2019/11/20 TI -设计权衡的热载体免疫和健壮性与接地LDMOS门盾SP - 1928494六世- 2019 AB - LDMOS设备接地栅屏蔽结构变化进行了模拟和测试,目的是同时解决热载流子免疫和鲁棒性问题。通过优化接地栅极屏蔽结构，可以降低栅极与栅极重叠处的局部电场强度，从而获得更好的热载流子抗扰能力，同时也可以实现栅极侧均匀的电场分布，提高鲁棒性。通过仿真和硅数据分析了热载流子抗扰度(HCI)和鲁棒性的设计权衡。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2019/1928494 DO - 10.1152 /2019/1928494 JF -有源和无源电子元件