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有源和无源电子元件
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章ID 801634
——研究的文章
栅极凹槽纳米尺度SOI mosfet中通道厚度对电特性和串联电阻影响的建模
A. Karsenty |
02年6月2013年
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章编号685939
——研究的文章
电压型四相正弦发生器及其实用扩展
Sudhanshu Maheshwari
2013年5月08
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章ID 525017
——研究的文章
基于双极性纳米晶硅TFTs的逻辑门和环振荡器
Anand Subramaniam | Kurtis D. Cantley | Eric M. Vogel
2013年4月29日(
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章ID 720191
——研究的文章
基于异质结DDR MITATT器件的噪声性能研究
在w频段
Suranjana Banerjee Aritra Acharyya | J. P. Banerjee
2013年4月28日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-第971936条
——研究的文章
使用单VD-DIBA的单电阻控制正弦振荡器
K. L. Pushkar | D. R. Bhaskar | Dinesh Prasad
2013年4月16日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章ID 148518
——研究的文章
0.8
V 0.23
西北1.5
全摆通晶体管异或门在130
纳米CMOS
Nabihah Ahmad, Rezaul Hasan
2013年3月31日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章编号596065
——编辑
金属绝缘体半导体场效应晶体管
Kuan-Wei Lee | Edward Yi Chang |…| Yasuyuki宫本茂
2013年3月07
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-文章ID 948217
——研究的文章
一种基于衬底集成波导技术的60ghz平面双工器
Nikolaos Athanasopoulos | Dimitrios Makris | Konstantinos Voudouris
2013年2月27日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2013
-第627873条
——研究的文章
一种新型含块氧化物的纳米FDSOI MOSFET
林志聪|尹宜全|林伯谢
2013年2月18日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章编号652478
——研究的文章
解析MOSFET模型的统一通道电荷表达式
休格·默里,帕特里克·马丁
2012年12月25日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章ID 148705
——研究的文章
对金属化后退火MOCVD的理解
在
对待III-V半导体
李明奎|颜志峰
2012年12月16日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章ID 459043
——研究的文章
GaN-Based高
k
氧化镨栅错场效应晶体管
+ UV界面处理技术
林朝伟|赵先钦
2012年12月03
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章ID 763572
——研究的文章
三维集成电路热敏感测试计划与TAM联合优化
Shih Chi-Jih |徐志尧|…| Krishnendu Chakrabarty
2012年11月28日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章ID 464659
——研究的文章
一个12 GHz 30 mW 130 nm CMOS旋转行波电压控制振荡器
F. Ben Abdeljelil |…| m . Borgarino
2012年11月14日
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有源和无源电子元件
-
特殊的问题
卷2012
-文章编号359580
——研究的文章
的比较研究
,
以及硅金属氧化物半导体器件中的BeO超薄界面阻挡层
J. H. Yum | J. Oh |…| S. K.班纳吉
2012年10月17日
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