Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
发布日期
2013年2月01日
状态
发布
提交截止日期
2012年9月14日
牵头编辑器
客座编辑器
一号电子工程系台北高雄840
2广州大学电子工程系
3电工系微电子学学院
4中央国立大学电气工程系320台元
5物理电子系,东京理工学院
Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors
描述性
近数十年来,金属制造者半导体外效晶体管及其应用取得了巨大进步。各种材料中Ge、III-V和III-N半导体引起对MISFET制作的极大关注以上设备使用于大数不同电路中,如电量放大器、低噪声放大器、混音器、频率转换器和相位移器高通设备正在未来高通设备中发挥重要作用,提高所需性能
并阅读文章, 介绍各类MISFET系统及其应用的最新进展潜在题目包括但不限于:
- 高k电介Ge三维和三NMISFETs
- Ge、III-V和III-NMISFETs新手法或概念
- 高k电高通道材料接口特征化(包括物理、化学和电子特性)
- Ge、III-V和III-NMISFETs电子或光电子应用
- 相关材料/过程开发状况(例如3DMISFETs,Si或Others3V增长
- 模拟或建模MISFETs
提交前作者应仔细阅读日志作者指南//www.nickgirls.com/journals/apec/guidelines/.未来作者应提交电子拷贝,通过杂志手稿跟踪系统http://mts.hindawi.com/按下表显示 :
