TY-JOURA2-Huang、shy-JERAU-Tu、Yung-ChunAU-Wang、Shui-JinnAU-UUU-UUU、Kow-MingAU-Lin、TSeng-HSingAU-UHU-UHO、Chen-HiungAU-UUUU-UUUO、Jhen-SiangPY-2015DA-2015/06/15TI-使用分级反射Si η 晶状Si基础太阳能电池报告sion/ZnONT数组的分级反射索引从3.5(Si)到 1.9 ~ 2.0 西市 ₃N级 ₄and ZnO) to 1.72 ~ 1.75 siON对1实验结果显示0.4使用 华府 m长ZNONT阵列涂有150纳米厚SiON薄膜增加 Δ η / η 减39.2%AM1.5G ²光照比普通使用si ₃N级 ₄/微金字塔表面增强可归因于SiON/ZNONT数组有效释放面反射并最小化流水损耗SN-1110-662XUR-https://doi.org/101155/2015/275697DO-10/1155/2015/275697JF-PB-Hindawi出版公司KW-ER-